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  • 型号: BSC190N15NS3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC190N15NS3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC190N15NS3 G价格参考¥7.42-¥8.08。InfineonBSC190N15NS3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSC190N15NS3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC190N15NS3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC190N15NS3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC190N15NS3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076http://www.infineon.com/dgdl/BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076

产品型号

BSC190N15NS3 G

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

Qg-GateCharge

23 nC

Qg-栅极电荷

23 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

19 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

19 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

53 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 90µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2420pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

19 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC190N15NS3 G-ND
BSC190N15NS3 GTR
BSC190N15NS3G
BSC190N15NS3GATMA1
SP000416636

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

125W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

正向跨导-最小值

57 S, 29 S

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

系列

BSC190N15

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BSC190N15NS3GATMA1 SP000416636

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